«Да здравствует флэш-память!» – примерно так можно охарактеризовать общее настроение, под которым проходило мероприятие Flash Memory Summit. По мнению большинства выступавших специалистов, в настоящее время флэш-память, а в особенности – NAND, имеет все шансы прогрессировать еще, как минимум, на протяжении трех поколений, практически не имея реальных конкурентов на роль «универсальной памяти» в обозримом будущем. При этом, как ожидается, масштабы технологий, применяемых для реализации NAND-памяти, могут быть сокращены, по крайней мере, до 20 нм.
Такие перспективы развития NAND-памяти, по всей видимости, позволят ей сохранить рынок в конкуренции с «альтернативными» технологиями, такими как FeRAM, MRAM, OUM и т.д., в свое время рассматриваемыми как кандидаты на использование в качестве «универсальной памяти» и замены NAND-флэш, но в действительности скорее не оправдавшими изначально возлагавшихся на них надежд.
Так, например, MRAM, начало отгрузок которой недавно анонсировала Freescale Semiconductor, потребовала весьма значительного времени на доведение до состояния коммерческого продукта, и даже после этого не претендует на замену флэш-памяти во всем ее диапазоне применений, ограничиваясь, по крайней мере, пока, ролью встраиваемой памяти. Ovonic unified memory (OUM), известная также как память с изменением фазового состояния, по мнению специалистов, не получит коммерческих реализаций еще примерно лет 10. FeRAM, как ожидается, займет некоторое место на рынке, но будет далека от первоначальных ожиданий.
Тематические материалы в статьях:
- Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри;
- ITоги 2002 года. Память.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.
